RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
75
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1763
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link