RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
68
Wokół strony -162% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
1,944.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,973.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,944.9
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
673
1925
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link