RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1633
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link