RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3635
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link