RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
4084
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link