RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
4084
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link