RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3466
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link