RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3192
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link