RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3192
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link