RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2190
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link