RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3171
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link