RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3171
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link