RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3169
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link