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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
46
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3169
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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