RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2935
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link