RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2935
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link