RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
99
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
99
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1386
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link