RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
41
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2238
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link