RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2870
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link