RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2312
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link