RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3650
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link