RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3650
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link