RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2389
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link