RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3075
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link