RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3075
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link