RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3110
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link