RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3136
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link