RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2379
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link