RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2379
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link