RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2394
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link