RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
50
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2929
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link