RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
66
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1810
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link