RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
50
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3274
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link