RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2702
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link