RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs KingSpec KingSpec 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
KingSpec KingSpec 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
KingSpec KingSpec 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
50
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2511
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
KingSpec KingSpec 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link