RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
50
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2261
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link