RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3198
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link