RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
50
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2615
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link