RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
52
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2384
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link