RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
52
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2384
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link