RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2028
3736
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link