RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2243
2613
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link