RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2585
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link