RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Compara
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.8
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3285
2585
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link