RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2585
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link