RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
68
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,952.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
68
Prędkość odczytu, GB/s
4,586.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,952.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
704
1904
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link