RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2900
3568
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Dark-2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link