RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
2336
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link