RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
71
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
1650
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link