RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Porównaj
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB vs Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
19.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
18.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4095
3110
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link