RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
94
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
94
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1334
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link