RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1989
2371
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link