RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Confronto
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
31
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
31
Velocità di lettura, GB/s
12.1
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1989
2371
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Confronto tra le RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link